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ZnO压敏电阻陶瓷的性能是压敏陶瓷中为优异的一种。近年来，由于电子设备向小型化、多功能化发展，集成电路的集成速度和密度不断提高，为了使电子线路免遭浪涌电压的破坏，在低压领域内对压敏电阻器的应用也提出了越来越高的要求，因此ZnO的低压化成为研究的热点。为了寻求一个相对合适的ZnO压敏陶瓷的低压化配方，并且将所学专业理论知识与实际相结合，经文献查阅，我们设计了添加剂的量依次适当增加的四组平行实验来进行研究。本文首先简析了ZnO压敏陶瓷材料的概念、结构、研究现状及压敏电阻的性能参数，并详细解释了其导电机理。同时对制备ZnO压敏陶瓷的基本工艺流程做了初步的了解，通过热分析的实验和老师的指导得出，烧结温度分别为1160℃、1180℃，1200℃三个温度下保温2h的烧结条件。

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暂态过电压破坏，这是指较强的暂态过电压使电阻体穿孔，导致更大的电流而高热起火。整个过程在较短时间内发生，以至电阻体上设置的热熔接点来不及熔断。在三相电源保护中，N-PE线之间的压敏电阻器烧坏起火的事故概率较高，多数是属于这一种情况。相应的对策集中在压敏电阻损坏后不起火。一些压敏电阻的应用技术资料中，推荐与压敏电阻串联电流熔丝（保险丝）进行保护。

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